Dysk SSD Transcend 112S TS1TMTE112S 1 TB M.2
0760557850229, TS1TMTE112S
- Pojemność (GB): 1 TB
- Format: M.2
- Prędkość zapisu (maksymalna): 1400 MB/s
- Interfejs: M.2 PCIe NVMe 3.0 x4
Produkt niedostępny
Sprawdzanie dostępnych gwarancji
Sprawdź dostępność w punkcie stacjonarnym
Wybierz punkt odbioru z poniższej listy lub wpisz swój kod pocztowy/miasto, aby odnaleźć punkt najbliżej Ciebie.
Wpisz kod pocztowy
Wpisz miasto
Niestety obecnie ten produkt nie jest dostępny w punktach stacjonarnych w Twojej okolicy. Zamów go online, a dostarczymy Ci go do domu lub do wybranego punktu.
Opis
Dysk SSD Transcend 112S TS1TMTE112S 1 TB M.2
Imponująca wydajność
Dysk SSD Transcend 112S TS1TMTE112S jest zgodny z NVMe 1.3 i wykorzystuje interfejs PCIe™ Gen3 x4, co oznacza, że do jednoczesnego przesyłania i odbierania danych używane są cztery linie, co zapewnia atrakcyjną wydajność odczytu do 1700 MB/s i zapisu do 1400 MB/s.
Interfejs PCIe
Zastosowany w dysku SSD Transcend 112S TS1TMTE112S interfejs PCIe (lub PCI Express®) jest znacznie szybszym interfejsem niż SATA (lub Serial ATA) do łączenia hosta komputera z urządzeniami pamięci masowej półprzewodnikowymi przez jedną lub więcej linii składających się z jednego interfejsu szeregowego transmisji i jednego interfejsu szeregowego na każdej linii, co oznacza, że może lepiej spełniać nowe wymagania dotyczące wydajności.
Standard NVMe
NVMe (lub NVM Express®) to standard interfejsu kontrolera hosta zaprojektowany z myślą o potrzebach aplikacji korporacyjnych i indywidualnych, które wykorzystują pamięć masową opartą na PCI Express. Dysk SSD Transcend 112S TS1TMTE112S z NVMe wymaga lepszych wektorów wydajności niż AHCI (Advanced Host Controller Interface), w tym skalowalnej przepustowości, zwiększonych IOPS i niskich opóźnień.
Ekspansja 3D, aby przełamać granice
W przeciwieństwie do istniejących planarnych układów NAND, pamięć flash 3D NAND jest rodzajem pamięci flash, w której komórki pamięci są ułożone pionowo w wielu warstwach. Technologia 3D NAND zastosowana w dysku SSD Transcend 112S TS1TMTE112S została opracowana w celu przełamania ograniczeń gęstości płaskiej pamięci NAND 2D, dzięki czemu może zapewnić wyższy poziom wydajności i wytrzymałości.
Zadaj pytanie