Dysk SSD Transcend 220S 512 GB M.2
0760557841708, TS512GMTE110S
- Pojemność (GB): 512 GB
- Format: M.2
- Prędkość zapisu (maksymalna): 1500 MB/s
- Interfejs: M.2 PCIe NVMe 3.0 x4
wysyłka do 5 dni
Sprawdź dostępność w punkcie stacjonarnym
Wybierz punkt odbioru z poniższej listy lub wpisz swój kod pocztowy/miasto, aby odnaleźć punkt najbliżej Ciebie.
Wpisz kod pocztowy
Wpisz miasto
Niestety obecnie ten produkt nie jest dostępny w punktach stacjonarnych w Twojej okolicy. Zamów go online, a dostarczymy Ci go do domu lub do wybranego punktu.
Opis
Dysk SSD Transcend 220S 512 GB M.2
Przekonująca wydajność w zastosowaniach najwyższej klasy
Dysk SSD Transcend 220S 512 GB M.2 jest zgodny z NVMe 1.3 i wykorzystuje interfejs PCIe™ Gen3 x4, co oznacza, że do jednoczesnego przesyłania i odbierania danych wykorzystywane są cztery linie, co zapewnia imponującą wydajność odczytu do 1800 MB/s i zapisu 1500 MB/s.
Interfejs PCIe
PCIe (lub PCI Express®) zastosowany w dysku SSD Transcend 220S 512 GB M.2 to znacznie szybszy interfejs niż SATA (lub Serial ATA) służący do łączenia komputera hosta z półprzewodnikowymi urządzeniami pamięci masowej za pośrednictwem jednej lub większej liczby linii, składającej się z jednego interfejsu szeregowego nadawczego i jednego odbiorczego na każdej ścieżce, co oznacza, że może lepiej spełniać nowe wymagania dotyczące wydajności.
Standard NVMe
NVMe (lub NVM Express®) to standard interfejsu kontrolera hosta zaprojektowany w celu zaspokojenia potrzeb aplikacji korporacyjnych i klienckich korzystających z pamięci półprzewodnikowej opartej na PCI Express. NVMe zastosowane w dysku SSD Transcend 220S 512 GB M.2 wymaga lepszych wektorów wydajności niż AHCI (Advanced Host Controller Interface), w tym skalowalnej przepustowości, zwiększonego IOPS i małych opóźnień.
Ekspansja 3D, aby przełamać ograniczenia
W przeciwieństwie do istniejących planarnych układów NAND, pamięć flash 3D NAND wykorzystana w dysku SSD Transcend 220S 512 GB M.2 to rodzaj pamięci flash, w której komórki pamięci są ułożone pionowo w wielu warstwach. 3D NAND został opracowany, aby przełamać ograniczenia gęstości 2D planarnej NAND, a tym samym może zapewnić wyższy poziom wydajności i wytrzymałości.
Zadaj pytanie